台积电3nm工艺工厂进展顺利将在三季度开始风险试产

2021-05-26 15:58:48  阅读:94642
台积电3nm工艺工厂进展顺利将在三季度开始风险试产

  5月26日消息,据国外媒体报道,在5nm制程工艺大规模量产超过1年后,芯片代工商台积电更先进的3nm工艺的量产事宜,也就成了关注的焦点。

  外媒最新的报道显示,台积电将采用3nm制程工艺代工芯片的新工厂,建设进展顺利,并未受到影响。

  外媒在报道中还提到,台积电的3nm制程工艺,在三季度就将开始风险试产,这符合台积电CEO魏哲家此前在财报分析师电话会议上透露的量产时间。在最近几个季度的财报分析师电话会议上,魏哲家均透露3nm工艺将在今年下半年风险试产。

  在最近几次的财报分析师电话会议上,魏哲家还透露,他们3nm制程工艺的研发,在按计划推进。同5nm工艺相比,3nm工艺将使晶体管的理论密度提升70%,性能提升15%,能耗降低30%。

  按台积电方面的计划,他们的3nm制程工艺,将在2022年大规模量产。

  台积电3nm芯片工厂的建设,在2017年就已开始谋划,当时创始人张忠谋还未退休。他在当年10月份的一次采访中透露,保守估计,3nm工厂的建设将花费150亿美元,可能达到200亿美元。

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